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產(chǎn)品詳細(xì)頁(yè)反射膜厚儀
簡(jiǎn)要描述:反射膜厚儀HD-FT50UV是一款精準(zhǔn)又好用的薄膜厚度測(cè)量設(shè)備。它能測(cè)低至20納米的超薄薄膜,測(cè)量誤差小于1納米,最快每秒可測(cè)100次,重復(fù)測(cè)量精度高達(dá)0.05納米。它采用雙光源組合,覆蓋紫外到紅外全光譜,抗干擾能力強(qiáng),在振動(dòng)或復(fù)雜環(huán)境下也能穩(wěn)定工作。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體與微電子制造、顯示面板、光學(xué)器件制造、生物醫(yī)學(xué)、汽車及新材料與新能源研發(fā)等領(lǐng)域。
產(chǎn)品型號(hào):HD-FT50UV
廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間:2026-03-10
訪 問(wèn) 量:15
產(chǎn)品介紹
一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介
反射膜厚儀是一款精準(zhǔn)又好用的薄膜厚度測(cè)量設(shè)備。它能測(cè)低至20納米的超薄薄膜,測(cè)量誤差小于1納米,最-快每秒可測(cè)100次,重復(fù)測(cè)量精度高達(dá)0.05納米。它采用雙光源組合,覆蓋紫外到紅外全光譜,抗干擾能力強(qiáng),在振動(dòng)或復(fù)雜環(huán)境下也能穩(wěn)定工作。
二、應(yīng)用領(lǐng)域
廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體與微電子制造、顯示面板、光學(xué)器件制造、生物醫(yī)學(xué)、汽車及新材料與新能源研發(fā)等領(lǐng)域,能滿足從晶圓鍍膜、顯示面板薄膜到光學(xué)元件鍍膜、醫(yī)-用植入物涂層、汽車玻璃膜層及新能源薄膜的高精度厚度檢測(cè)需求,助力各行業(yè)提升產(chǎn)品質(zhì)量與研發(fā)效率。
三、測(cè)試原理
反射膜厚儀基于白光干涉原理工作,光源發(fā)出的寬帶光入射至待測(cè)薄膜表面后,經(jīng)薄膜上下表面反射形成的兩束反射光會(huì)因光程差產(chǎn)生干涉,干涉信號(hào)中包含薄膜厚度、光學(xué)常數(shù)等關(guān)鍵信息,設(shè)備通過(guò)探頭采集干涉后的反射光譜,對(duì)特定波段范圍內(nèi)的光譜進(jìn)行模型擬合后,即可反演解析出薄膜的厚度、光學(xué)常數(shù)及粗糙度等參數(shù),整個(gè)系統(tǒng)由高強(qiáng)度組合光源提供寬光譜入射光,經(jīng)光學(xué)系統(tǒng)傳輸至樣品,反射光返回后由高速光譜模塊采集信號(hào),最終通過(guò)上位機(jī)軟件完成數(shù)據(jù)處理與結(jié)果輸出。
四、產(chǎn)品特點(diǎn)
1. 精準(zhǔn)測(cè)量:支持20nm超薄膜厚檢測(cè),準(zhǔn)確度±1nm、重復(fù)精度0.05nm,滿足精密檢測(cè)需求;
2. 高速采樣:最-高采樣速度100Hz,適配產(chǎn)線快速檢測(cè),提升測(cè)量效率;
3. 寬光譜覆蓋:采用氘鹵組合光源,光譜覆蓋紫外至近紅外,可解析單層/多層膜厚;
4. 強(qiáng)抗干擾性:高靈敏度元器件搭配抗干擾光學(xué)系統(tǒng)+多參數(shù)反演算法,復(fù)雜環(huán)境下測(cè)量穩(wěn)定;
5. 靈活易適配:支持自定義膜結(jié)構(gòu)測(cè)量,設(shè)備小巧易安裝,配套軟件及二次開發(fā)包,適配實(shí)驗(yàn)室/產(chǎn)線多場(chǎng)景。
五、技術(shù)參數(shù)
| 型號(hào) | HD-FT50UV | HD-FT50NIR |
| 建議工作距離 | 非聚焦光束,安裝距離5至10mm | 安裝側(cè)面出光附加鏡時(shí):34.5mm±2mm; 軸向出光時(shí):55mm±2mm; |
| 測(cè)量角度 | ±10° | ±5° |
| 光斑類型 | 彌散光斑;在10mm安裝距離時(shí),光斑直徑約為4mm; | 聚焦光斑;約200μm |
| 探頭外徑*長(zhǎng)度 | Φ6.35*3200mm3 | Φ20*73mm |
| 探頭重量 | 190g | 108g(探頭)、49g(附加鏡) |
| 光源類型 | 氘鹵光源 | 鹵素光源 |
| 波長(zhǎng)范圍 | 190-1100nm | 400-1100nm;1000-1700nm |
| 測(cè)厚范圍 | 約20nm~50μm(折射率1.5時(shí)) | 約50nm~50μm(折射率1.5時(shí)) |
| 適配探頭 | UV-VIS | VIS-NIR軸向; VIS-NIR徑向;(標(biāo)配其一) |
| 可連探頭數(shù)量 | 1 | |
| 探頭防護(hù)等級(jí) | IP40 | |
| 重復(fù)精度 | 0.05nm | |
| 準(zhǔn)確度 | <±1nm或±0.3%(取較大值) | |
| 采樣頻率 | Max.100Hz(視求解參數(shù)復(fù)雜度而定) | |
| 測(cè)控軟件 | 專用上位機(jī)軟件 | |
| 電源電壓 | 220V±20V50HzAC/ | |
| 最-大功率 | 50W | |
| 工作溫度 | -10至+40℃ | |
| 相對(duì)濕度 | 20%至85%RH(無(wú)冷凝) | |
| 控制器重量 | 約5000g | |






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